Memori DDR4 10nm Generasi Ketiga Samsung Adalah Cip Memori Paling Efisien

Selain daripada membuat peranti-peranti pintar, Samsung juga terkenal untuk komponen-komponen memori mereka, termasuklah storan SSD untuk komputer, peranti pintar, dan juga memori DDR yang digunakan didalam peranti-peranti yang sama.

Terkini, nampaknya Samsung telah merekacipta memori DDR4 8Gb 10nm generasi ketiga yang menurut Samsung, mempunyai kadar pengeluaran 20 peratus lebih tinggi daripada memori DDR4 10nm generasi kedua sebelum ini.

Memori ini, yang dinamakan 1z-nm DDR4 dibuat tanpa menggunakan proses Extreme Ultra Violet (EUV) yang digunakan oleh Samsung untuk mencipta cip memori 7nm, dan ini, kata Samsung, merendahkan lagi kos pembuatan cip memori tersebut.

Samsung juga menjangkakan bahawa memori DDR4 1z-nm ini akan mempercepatkan lagi kehadiran teknologi-teknologi baru seperti DDR5, LPDDR5 dan pengembangan kepada memori GDDR6.

Menurut Samsung lagi, mereka menjangkakan bahawa komponen-komponen menggunakan memori DDR4 10nm generasi ketiga ini akan mula dibuat secara besar-besaran menjelang pertengahan tahun ini, dan produk-produk yang menggunakannya bakal hadir di pasaran menjelang tahun hadapan.

Sumber : Amanz